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| 考試內(nèi)容范圍: 一、X射線分析理論基礎(chǔ) 1. 要求考生熟練掌握X射線物理學(xué)基礎(chǔ)（X射線本質(zhì)、X射線譜、X射線與物質(zhì)相互作用）. 2. 要求考生理解X射線運動學(xué)衍射理論，能夠運用Ewald圖解進行衍射分析，會進行衍射強度的計算，熟悉倒易點陣 二、X射線衍射方法及衍射分析 1． 要求考生熟練掌握兩種X射線衍射方法（粉末照相、多晶衍射儀法）. 2． 要求考生了解晶體取向的測定方法及分析步驟. 3． 要求考生能夠進行點陣常數(shù)的測定. 4． 要求考生熟練掌握多晶體物相分析并進行相應(yīng)的定量計算. 5． 要求考生熟練掌握宏觀應(yīng)力的測定. 三、TEM分析 1． 要求考生掌握電子與物質(zhì)相互作用理論. 2． 要求考生熟練掌握TEM結(jié)構(gòu)、原理、樣品制備、金屬薄膜的衍射分析（能夠標(biāo)定單晶體的衍射斑點）四、SEM分析 1. 要求考生了解掃描電鏡的基本結(jié)構(gòu)和工作原理 2. 要求考生熟練掌握掃描電鏡在材料分析中的應(yīng)用（表界面、斷口分析）. 3. 要求考生熟練掌握波譜儀和能譜儀以及電子探針分析方法. 五、其它材料分析測試技術(shù) 1. 要求考生了解XPS分析、俄歇電子能譜分析、原子探針顯微分析. 2. 要求考生了解核磁共振、電子自旋共振技術(shù)在材料分析中的應(yīng)用. 3. 要求考生了解熱分析技術(shù) |
| 考試總分：100分 考試時間：2小時 考試方式：筆試考試題型： 計算題（10分）證明題（10分）簡答題（20分）綜合題（60分） |
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